世界正處在數(shù)據(jù)大爆炸時代，人們亟待高密度、高速度、長壽命的新一代存儲器救急。上海承擔國家科技重大專項、國家納米重大研究計劃等項目，牽頭研發(fā)新一代存儲器，已公開約300項海內(nèi)外專利，填補了我國自主存儲器長期空白，并與國際前沿實現(xiàn)同步。這是昨天舉辦的“第11屆IEEE非易失性存儲器國際研討會”上透露的。

　　存儲器是消費型電子產(chǎn)品的必備單元，這些小小器件每年全球范圍銷售額達600億美元，但因技術(shù)密集且門檻高，市場主要被三星、海力士等5家企業(yè)壟斷。中國作為多種電子產(chǎn)品的世界最大生產(chǎn)國，每年消耗存儲器件占全球三分之一，但此前一直未實現(xiàn)存儲器國產(chǎn)。而日韓兩國則通過實施國家戰(zhàn)略，分別于上世紀80年代和90年代自主掌握存儲器技術(shù)，也使全球存儲器產(chǎn)業(yè)重心從美國移至日本，進而移至韓國。

　　從2002年起，中科院上海微系統(tǒng)所在現(xiàn)行存儲技術(shù)之外，及時攻關(guān)下一代存儲器，并承接我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”、“973計劃”等相關(guān)任務。目前，微系統(tǒng)所與中芯國際、微芯等企業(yè)組建百余人產(chǎn)學研團隊，成功研發(fā)出不同于傳統(tǒng)存儲機制的“相變存儲器”。項目負責人宋志棠研究員介紹，目前有能力生產(chǎn)“相變存儲器”的全球廠商僅少數(shù)幾家，并且剛剛實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，微系統(tǒng)所在相關(guān)材料、器件、工藝等環(huán)節(jié)布局專利達300項左右，其中80多項已獲授權(quán)，為產(chǎn)業(yè)化和國際化打下良好的基礎。

　　據(jù)了解，相變存儲器比起當今主流產(chǎn)品具有多種優(yōu)勢，有望同時替代公眾熟知的兩大類存儲技術(shù)，如應用于U盤的可斷電存儲的閃存技術(shù)，又如應用于電腦內(nèi)存的不斷電存儲的DRAM技術(shù)。在存儲密度方面，目前主流存儲器在20多納米的技術(shù)節(jié)點上出現(xiàn)極限，無法進一步緊湊集成；而相變存儲器可達5納米量級。在存儲速度方面，相變存儲器的存儲單元比閃存快100倍，使用壽命也達百倍以上。（記者 徐瑞哲）